[发明专利]具有隧道效应的瞬态抑制二极管芯片的制造方法

摘要

本发明公开一种具有隧道效应的瞬态抑制二极管芯片的制造方法，包括步骤如下：1）氧化前处理；2）氧化；3）光刻；4）去除单面氧化层；5）扩散前处理；6）磷扩散预沉积；7）预沉积后处理；8）磷扩散；9）扩散后处理；10）台面腐蚀；11）电泳；12）烧结；13）去氧化层；14）镀镍、镀金；15）芯片切割。本发明所公开的制造方法，能够实现芯片的隧道效应,使芯片Vc值减小，Ipp能力大于相同常规芯片。

主权项

一种具有隧道效应的瞬态抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤如下：1）氧化前处理：对硅片表面进行化学处理；2）氧化：在原始硅片上生长一层氧化层做掩膜，阻挡硼扩散源进入N+面、开沟槽；3）光刻：对氧化后的硅片形成台面图形；4）去除单面氧化层：去除硅片单面氧化层；5）扩散前处理：对去氧化层后的硅片进行化学处理；6）磷扩散预沉积：将硅片放入扩散炉中，并通入三氯氧磷进行预沉积；7）预沉积后处理：使硅片分离，并去除表面氧化层；8）磷扩散：对预沉积后的硅片在扩散炉进行扩散，形成PN结；9）扩散后处理：使硅片分离，并去除表面氧化层；10）台面腐蚀：刻蚀沟槽，沟槽深度到达P⁺层，控制混酸温度，并用去离子水冲净；11）电泳：把硅片放在配置好的电泳液中，根据台面沟槽需沉积的玻璃重量设置时间，进行玻璃电泳；12）烧结：把电泳后的硅片在烧结炉中进行烧结；13）去氧化层：清洗去除烧结后硅片表面氧化层；14）镀镍、镀金：将去氧化层后的硅片进行镀镍、镀金、干燥；15）芯片切割：把镀金后的硅片从台面沟槽处划成单个芯片。