[发明专利]一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法有效
| 申请号： | 201410018922.5 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104779205B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 于洪宇;张淑祥;杨清华 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法，包括：淀积第一厚度的金属层进行掩膜，刻蚀未被掩膜遮盖区域的部分金属层；去除掩膜.通过两次掩膜和两次刻蚀,可在同一硅片上形成三个不同的金属层厚度从而实现同一硅片上不同功函数的调节，以满足器件不同性能的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜 功函数 金属层 厚度金属 硅片 两次刻蚀 遮盖区域 淀积 刻蚀 去除 | ||
【主权项】：
1.一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法，包括：提供SOI器件或FinFet器件的结构片；在结构片的栅槽中淀积栅介质层；在栅介质层上淀积第一厚度的金属栅极；进行两次去除工艺，具体包括：进行第一掩膜，遮住第一块区域,去除未被遮盖区域的部分厚度的金属层，以得到第二厚度的金属栅极；去除第一掩膜；进行第二掩膜，遮住第一块区域和第二块区域,继续去除未被遮盖区域的部分厚度的金属层，以得到第三厚度的金属栅极；去除第二掩膜。
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