[发明专利]一种晶圆接合的检测结构、制备方法以及检测方法有效
| 申请号： | 201410016061.7 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104773704A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 郑超;骆凯玲;刘炼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆接合的检测结构、制备方法以及检测方法，检测结构，包括：MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有MEMS元器件，在所述MEMS元器件的两侧形成有互连金属层；覆盖层，所述覆盖层包括两端设置的凸起的连接端，以及位于所述连接端之间的凹槽，所述连接端包括连接端主体以及位于所述连接端主体上导电材料层，其中，所述凹槽的底部和侧壁上也形成有所述导电材料层；所述覆盖层和所述MEMS衬底之间通过所述连接端和所述互连金属层接合为一体，所述连接端和所述互连金属层的接合处形成有接合界面。本发明所述测试结构的优点在于：（1）不会破坏器件（Device），测试后可以继续封装使用。（2）通过改变制备工艺（Process Flow），不会对器件造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接合 检测 结构 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种晶圆接合的检测结构，包括： MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有MEMS元器件，在所述MEMS元器件的两侧形成有互连金属层； 覆盖层，所述覆盖层包括两端设置的凸起的连接端，以及位于所述连接端之间的凹槽，所述连接端包括连接端主体以及位于所述连接端主体上导电材料层，其中，所述凹槽的底部和侧壁上也形成有所述导电材料层； 所述覆盖层和所述MEMS衬底之间通过所述连接端和所述互连金属层接合为一体，所述连接端和所述互连金属层的接合处形成有接合界面。
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