[发明专利]氧化铝的成膜方法及溅射装置

摘要

本发明通过溅射法以稳定的氧化度和高成膜速度进行氧化铝的成膜。本发明的氧化铝的成膜方法，包括第一等离子体发生步骤，使导入有溅射气体和反应性气体的真空容器内发生等离子体；第二等离子体发生步骤，对铝靶外加溅射电压、通过静磁场发生磁控等离子体；以及，控制步骤，控制反应性气体向真空容器内的导入量。并且，在第二等离子体发生步骤中，对溅射电压进行恒电压控制；在控制步骤中，控制第二等离子体发生步骤中反应性气体的导入量，以使溅射电流值成为目标电流值。第一等离子体发生步骤，是使用由圈数低于一圈的导体构成的高频天线，至少使第二等离子体发生步骤中发生高频电感耦合等离子体的步骤。

主权项

一种氧化铝的成膜方法，其是在设置有用于形成静磁场的磁控阴极的真空容器中，以使该真空容器内的压力达到目标压力的方式控制并导入溅射气体和氧的反应性气体，从而对设置于该阴极的铝靶进行溅射，在与该铝靶对置的硅基板上形成氧化膜的氧化铝的成膜方法，包括：第一等离子体发生步骤，其在导入有所述溅射气体和所述反应性气体的真空容器内发生等离子体；第二等离子体发生步骤，其对所述铝靶外加负电压、由负电压和正电压组成的直流脉冲电压和交流电压中的任意一种溅射电压，通过所述静磁场使磁控等离子体发生；以及控制步骤，其控制向所述真空容器内导入的所述反应性气体的导入量，并且，所述第二等离子体发生步骤是恒电压控制所述溅射电压的步骤，所述控制步骤是控制所述第二等离子体发生步骤中所述反应性气体的导入量，以使流向所述磁控阴极的溅射电流值成为目标电流值的步骤，所述第一等离子体发生步骤是使用设置于所述真空容器内且由圈数低于一圈的导体构成的高频天线，至少在所述第二等离子体发生步骤中使高频电感耦合等离子体发生的步骤，所述目标电流值是，从所述铝靶溅射的氧化铝的氧化度成为非化学计量学上的氧化铝的氧化度，并且在所述硅基板上成膜的氧化铝的氧化度成为化学计量学上的氧化铝的氧化度时的所述溅射电流值。