[发明专利]具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图像传感器像素单元

摘要

本发明涉及一种具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图像传感器像素单元。一种像素单元包含存储晶体管，所述存储晶体管包含具有第一极性的深植入存储区域，所述深植入存储区域植入于半导体衬底中以存储由光电二极管积累的图像电荷。转移晶体管耦合于所述光电二极管与所述存储晶体管的输入之间，以将所述图像电荷从所述光电二极管选择性地转移到所述存储晶体管。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出，以将所述图像电荷从所述存储晶体管选择性地转移到读出节点。具有所述第一极性的第一浅植入区域植入于所述半导体衬底中在所述转移晶体管的转移栅极与所述存储晶体管的存储栅极之间的第一间隔件区域下方。具有所述第一极性的第二浅植入区域植入于所述半导体衬底中在所述存储栅极与输出栅极之间的第二间隔件区域下方。

主权项

一种像素单元，其包括：存储晶体管，其安置于半导体衬底中，所述存储晶体管包含：存储栅极，其安置于所述半导体衬底上方；具有第一极性的深植入存储区域，其植入于半导体衬底中在所述存储栅极下方，以存储由安置于所述半导体衬底中的光电二极管积累的图像电荷；转移晶体管，其安置于所述半导体衬底中且耦合于所述光电二极管与所述存储晶体管的输入之间，以将所述图像电荷从所述光电二极管选择性地转移到所述存储晶体管，所述转移晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的转移栅极；输出晶体管，其安置于所述半导体衬底中且耦合到所述存储晶体管的输出，以将所述图像电荷从所述存储晶体管选择性地转移到读出节点，所述输出晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的输出栅极；第一浅植入区域，其具有所述第一极性且植入于所述半导体衬底中在所述转移栅极与所述存储栅极之间的第一间隔件区域下方；及第二浅植入区域，其具有所述第一极性且植入于所述半导体衬底中在所述存储栅极与所述输出栅极之间的第二间隔件区域下方。