[发明专利]一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺在审

专利信息
申请号: 201410008420.4 申请日: 2014-01-08
公开(公告)号: CN103715308A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 汪昭辉;郭文林 申请(专利权)人: 江苏宇兆能源科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 李钦鹏
地址: 215431 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺,包括以下步骤:步骤1:将清洗制绒后的多晶硅片置于扩散炉中,扩散炉升温,通入氧气和主氮气,对多晶硅片进行预处理;步骤2:扩散炉中通入携带三氯氧磷的氮气、氧气和主氮气,对多晶硅片进行沉积扩散;步骤3:扩散炉升温,通入携带三氯氧磷的氮气、氧气和主氮气,对多晶硅片进行二次扩散;步骤4:扩散炉中通入氧气和主氮气,对多晶硅片进行推结;步骤5:扩散炉降温,通入主氮气;步骤6:多晶硅片出炉,降温处理。此工艺形成的P-N结的浓度梯度比恒温扩散的浓度梯度更大,减少少子复合,提高高能光子的响应,从而提高多晶硅太阳能电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 多晶 太阳能电池 低温 扩散 工艺
【主权项】:
一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将清洗制绒后的多晶硅片置于扩散炉中,扩散炉升温,通入氧气和主氮气,对多晶硅片进行预处理;步骤2:扩散炉中通入携带三氯氧磷的氮气、氧气和主氮气,对多晶硅片进行沉积扩散;步骤3:扩散炉升温,通入携带三氯氧磷的氮气、氧气和主氮气,对多晶硅片进行二次扩散;步骤4:扩散炉中通入氧气和主氮气,对多晶硅片进行推结;步骤5:扩散炉降温,通入主氮气;步骤6:多晶硅片出炉,降温处理。
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