[发明专利]磁传感器的形成方法

摘要

一种磁传感器的形成方法，在氮化钽薄膜表面形成硬掩膜薄膜，在所述硬掩膜薄膜表面形成图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对硬掩膜薄膜进行各向同性的干法刻蚀，在所述沟槽的侧壁对应位置形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述氮化钽薄膜和磁性材料薄膜进行刻蚀，分别形成氮化钽层和磁阻层。由于对硬掩膜薄膜进行各向同性的干法刻蚀，能够有效地去除未形成磁传感器的沟槽另一侧侧壁的硬掩膜薄膜；同时由于各向同性的干法刻蚀不会导致阴影效应，因此最终形成的氮化钽层和磁阻层的尺寸容易控制，使得形成的磁传感器的尺寸容易控制。

主权项

一种磁传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成绝缘层，在所述绝缘层内形成沟槽，在所述沟槽的侧壁、底部和绝缘层表面形成扩散阻挡层，在所述扩散阻挡层表面形成磁性材料薄膜，在所述磁性材料薄膜表面形成氮化钽薄膜；在所述氮化钽薄膜表面形成硬掩膜薄膜，在所述硬掩膜薄膜表面形成光刻胶薄膜；对所述光刻胶薄膜进行曝光显影，形成图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对硬掩膜薄膜进行各向同性的干法刻蚀，在所述沟槽的侧壁对应位置形成硬掩膜层；去除所述光刻胶层，以所述硬掩膜层为掩膜，依次对所述氮化钽薄膜和磁性材料薄膜进行刻蚀，分别形成氮化钽层和磁阻层。