[发明专利]碳化硅多孔陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201410005555.5 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103833405A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张小立 | 申请（专利权）人： | 中原工学院 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张绍琳;张真真 |
| 地址： | 451191 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤：首先将多孔硅胶放入管式炉中，以50~300ml/min的速率通入纯度80-98%的甲烷，以5-30℃/min的升温速率逐步升温至1000~1500℃，并保持0.5-2hr，炉口出口点火，裂解的甲烷气体在管式炉中连续通过硅胶，发生原位反应，将硅胶转化为碳化硅多孔陶瓷，并遗传其孔隙结构。该方法工艺简单，可连续生产，并适用于工业规模。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：首先将多孔硅胶放入管式炉中，以50~300ml/min的速率通入纯度80‑98%的甲烷，以5‑30℃/min的升温速率逐步升温至1000~1500℃，并保持0.5‑2hr，炉口出口点火。
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