[发明专利]一种耐高压电路及耐高压恒流源电路有效
| 申请号： | 201410004901.8 | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN103729012A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 唐盛斌;曾正球 | 申请（专利权）人： | 广州金升阳科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 宣国华 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐高压电路，包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路；所述偏置电路连接在耐高压MOS器件的栅极与源极之间，所述自举电路连接在耐高压MOS器件的栅极与接地端之间，所述耐高压MOS器件的漏极用于接入供电电源电压、源极用于连接低压电路的供电端，所述自举电路通过偏置电路获得偏置电流而将耐高压MOS器件的栅极电位抬高，使得所述耐高压MOS器件的源极输出适于所述低压电路工作电压范围的电源电压。本发明还公开了一种应用上述耐高压电路的耐高压恒流源电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 电路 恒流源 | ||
【主权项】：
一种耐高压电路，其特征在于：所述的耐高压电路（10）包括耐高压MOS器件（M101）、偏置电路（102）和自举电路（103）；所述偏置电路（102）连接在耐高压MOS器件（M101）的栅极与源极之间，所述自举电路（103）连接在耐高压MOS器件（M101）的栅极与接地端（GND）之间，所述耐高压MOS器件（M101）的漏极用于接入供电电源电压（VDD）、源极用于连接低压电路的供电端，所述自举电路（103）通过偏置电路（102）获得偏置电流而将耐高压MOS器件（M101）的栅极电位抬高，使得所述耐高压MOS器件（M101）的源极输出适于所述低压电路工作电压范围的电源电压（VCC）。
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