[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201410002198.7 申请日: 2014-01-03
公开(公告)号: CN103915405B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: T.J.D.索勒 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 王岳,胡莉莉
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例,一种半导体器件具有衬底,该衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。而且,衬底具有第一孔。多条引线被置放在衬底的第一表面之上并且管芯焊盘被置放在第一孔中。另外地,封装剂被置放在管芯焊盘和该多条引线上。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的球栅阵列陶瓷衬底,所述球栅阵列陶瓷衬底包括将第一表面上的触点耦合到第二表面上的触点的电路,其中所述球栅阵列陶瓷衬底具有第一孔;多条引线,置放在所述球栅阵列陶瓷衬底的所述第一表面之上,所述多条引线中的一条或多条引线被耦合到第一表面上的触点;管芯焊盘,置放在所述第一孔中;置放在所述球栅阵列陶瓷衬底、所述管芯焊盘和所述多条引线之上的封装剂;置放在管芯焊盘之上的第一芯片,其中第一芯片被电耦合到所述多条引线中的第一引线;和置放在第一芯片之上的第二芯片,其中第二芯片被电耦合到所述多条引线中的第二引线。
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