[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380081522.2 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN105900233A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 白田理一郎;大场隆之 | 申请（专利权）人： | WOW研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本半导体装置具有层积体，其层积有多个半导体晶片；以及贯穿电极，其将层积于所述层积体的最下层的半导体晶片上的各个半导体晶片沿厚度方向贯穿、并且与所述最下层的半导体晶片的垫电极连接，其中，所述层积体的电源线和信号线的至少一者，通过所述贯穿电极，与构成所述层积体的半导体晶片共同地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：积层体，其层积有多个半导体晶片；以及贯穿电极，其将层积于所述层积体的最下层的半导体晶片上的各个半导体晶片沿厚度方向贯穿、并且与所述最下层的半导体晶片的垫电极连接，其中，所述层积体的电源线和信号线的至少一者，通过所述贯穿电极，与构成所述层积体的半导体晶片共同地连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于WOW研究中心有限公司，未经WOW研究中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380081522.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
