[发明专利]摄像装置的制造方法以及摄像装置

摘要

形成场效应晶体管的栅电极(步骤S1)。然后，在栅电极的侧壁面上形成使下层膜为氧化硅膜、使上层膜为氮化硅膜的双层构造的偏移间隔膜(步骤S2)。氮化硅膜被作为使元件形成区域的硅的悬挂键终止的元素的供给源。接着，实施将偏移间隔膜原样保留的处理、或将偏移间隔膜中的氮化硅膜除去的处理(步骤S3、步骤S4、步骤S5)。之后，在栅电极的侧壁面上形成侧壁绝缘膜(步骤S6)。

主权项

1.一种摄像装置的制造方法，其特征在于，具有：在半导体衬底上形成沟槽的工序；通过在所述沟槽中形成元件隔离绝缘膜来规定多个元件形成区域的工序；和在多个所述元件形成区域中分别形成半导体元件的工序，形成所述半导体元件的工序包括：形成光电转换部的工序；和形成将在所述光电转换部中生成的电荷作为信号进行处理的、具有栅电极部的晶体管的工序，形成所述晶体管的所述栅电极部的工序包括：以在覆盖多个所述元件形成区域中的、具有所述半导体衬底的(111)面的规定的元件形成区域与所述元件隔离绝缘膜之间的边界的状态下横穿所述规定的元件形成区域的方式形成栅电极的工序；以覆盖所述栅电极的方式形成成为偏移间隔膜的膜的工序，所述偏移间隔膜的膜以第一绝缘膜为下层膜、以不同于所述第一绝缘膜的规定的膜为上层膜；通过对成为所述偏移间隔膜的膜实施加工，而在所述栅电极的侧壁面上形成至少包含所述第一绝缘膜在内的偏移间隔膜的工序；和在所述栅电极的所述侧壁面上隔着所述偏移间隔膜而形成侧壁绝缘膜的工序，在形成成为所述偏移间隔膜的膜的工序中，作为所述规定的膜而形成含有氮(N)和氢(H)中的至少一种的膜，在形成所述偏移间隔膜的工序中，以保留覆盖所述栅电极的所述侧壁面的第一部分、和从所述第一部分的下端部向与所述栅电极所在侧的相反一侧延伸并覆盖所述规定的元件形成区域的表面的第二部分的方式对所述第一绝缘膜进行加工，在形成所述侧壁绝缘膜的工序中，所述侧壁绝缘膜以覆盖所述第一绝缘膜的所述第二部分的端面的方式形成。