[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法

摘要

描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。

主权项

一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片；在半导体衬底之上与所述多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层；在所述固态掺杂剂源层之上形成电介质层；使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在所述多个半导体鳍片的顶面之下的大约相同水平，由此暴露在所述多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的所述多个半导体鳍片的每一个的突出部分；以及将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到所述多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。