[发明专利]单晶体生长设备在审
| 申请号： | 201380074978.6 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105051267A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李昌润;宋到原;崔俊赫;孙赈晧;金喆焕 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B19/08 | 分类号： | C30B19/08;C30B15/20;C30B15/14;C30B29/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李丹丹 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种单晶体生长装置，该装置包括：腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，其设置在坩锅和腔室的侧壁之间并且加热该坩锅；以及坩锅屏，其设置在坩锅的上端上，并且坩锅屏具有弯曲构件，该弯曲构件将从坩锅中的熔化物产生的辐射热量反射到坩锅的内壁。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 生长 设备 | ||
【主权项】：
一种单晶体生长设备，包括：腔室；坩锅，所述坩锅设置在所述腔室中并且构造成容置熔化物，所述熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，所述加热器设置在所述坩锅和所述腔室的侧壁之间并且加热所述坩锅；以及坩锅屏，所述坩锅屏设置在所述坩锅的上端上，其中，所述坩锅屏具有弯曲构件，所述弯曲构件将从所述坩锅中的所述熔化物产生的辐射热量反射到所述坩锅的内壁。
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