[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

申请号：	201380074382.6	申请日：	2013-10-04
公开（公告）号：	CN105009266A	公开（公告）日：	2015-10-28
发明（设计）人：	中田洋辅;中野诚也	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H05K3/34
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	何立波;张天舒
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上，并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体装置，其具有：半导体元件；元件电极，其设置于所述半导体元件的表面；以及金属膜，其设置于所述元件电极上，具有内侧区域和位于所述内侧区域周围的外侧区域，在所述金属膜中设置有在所述内侧区域及所述外侧区域之间将所述元件电极露出的开口，所述元件电极具有比所述金属膜的焊料浸润性低的焊料浸润性，该半导体装置还具有外部电极，该外部电极与所述金属膜的所述内侧区域进行焊料接合。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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