[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和包括其的显示装置

摘要

提供了一种薄膜晶体管、其制造方法和包括其的显示装置。所述薄膜晶体管可包括基板和形成在基板上的有源层。有源层可由氧化物半导体形成。可在有源层上方或在有源层下方形成栅极电极。导电层可与有源层接触，可与栅极电极的至少一部分重叠且可与栅极电极绝缘。源极电极和漏极电极可与有源层电连接。导电层可减小薄膜晶体管的沟道长度并增加源极电极与栅极电极之间或漏极电极与栅极电极之间的电容。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：设置于绝缘层上的栅极电极；设置于基板上且位于绝缘层下方的有源层，所述有源层包括在横向上与栅极电极重叠的第一区域，所述第一区域的第一部分包括晶体管的沟道；源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极各与有源层电连接；和位于所述有源层和所述基板之间的一个或多个导电层，每个导电层与源极电极或漏极电极电连接，每个导电层在横向上与有源层的第一区域的第二部分重叠且与所述第二部分直接物理接触，以减小所述沟道的长度，以及其中所述源极电极和所述漏极电极中的至少一个直接接触所述有源层的与所述第一区域横向相邻的第二区域，以及其中所述有源层的所述第一区域用作未被赋予导电性的一般氧化物半导体区域，所述有源层的所述第二区域用作被赋予导电性的氧化物半导体区域。