[发明专利]用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件有效
| 申请号： | 201380067622.X | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104885237A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·普雷乌斯;迈克尔·齐茨尔斯佩格;卡罗琳·基斯特纳 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于制造光电子薄膜芯片半导体构件(200)的方法，其中将导体结构(2)施加在载体(1)上并且在导体结构之间设置多个光电子半导体芯片(5)，所述半导体芯片分别在上侧(6)包括层(7)，尤其是荧光转换层。此外，例如借助于接合线在半导体芯片(5)和导体结构(2)之间建立电连接部(8)，并且用模制体(11)包围半导体芯片(5)和导体结构，其中模制体(11)在光电子半导体芯片(5)的背离载体(1)的上侧(4)上不突出于光电子半导体芯片。此外，移除载体(1)并且分割已改型的半导体芯片。在一个特别的成形形式中，在模制体上设置有另一个对芯片改型的层、例如反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 构件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电子半导体构件(100，200)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供载体(1)；‑提供导体结构(2)，所述导体结构通过导电材料形成并且具有多个穿口(3)；‑将所述导体结构(2)设置在所述载体(1)的上侧(4)上，其中所述上侧(4)在所述导体结构(2)的所述穿口(3)中露出；‑提供多个光电子半导体芯片(5)，其中每个光电子半导体芯片(5)至少在相应的所述半导体芯片的上侧(6)上包括层(7)；‑将多个所述光电子半导体芯片(5)在所述导体结构(2)的所述穿口(3)中设置在所述载体(1)的上侧(4)上；‑在每个光电子半导体芯片(5)的连接部位(9)和所述导体结构(2)之间形成电连接部(8)；‑通过模制体(11)对每个光电子半导体芯片(5)和所述电连接部(8)改型，其中所述模制体(11)至少局部地覆盖全部光电子半导体芯片的侧面(12)，并且其中所述模制体(11)在所述光电子半导体芯片(5)的背离所述载体(1)的上侧(4)上不突出于所述光电子半导体芯片；‑移除所述载体(1)；以及‑至少分割所述模制体(11)以产生光电子半导体构件(101，201)，其中每个光电子半导体构件(101，201)包括至少一个光电子半导体芯片(5)。
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