[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法

摘要

碳化硅膜(90)具有第一和第二主表面(P1、P2)。第二主表面(P2)具有元件形成表面(PE)以及终端表面(PT)。碳化硅膜(90)具有构成第一主表面(P1)以及与第一主表面(P1)相反的中间表面(PM)的第一范围(RA)，以及提供在中间表面(PM)上并构成元件形成表面(PE)的第二范围(RB)。第一范围(RA)包括：第一击穿保持层(81A)；以及部分提供在终端部(TM)中的中间表面(PM)处的保护环区(73)。第二范围(RB)具有第二击穿保持层(81B)。第二范围(RB)具有在终端部(TM)中仅具有第二击穿保持层(81B)的结构以及仅设置在元件部(CL)和终端部(TM)中的元件部(CL)中的结构。

主权项

一种碳化硅半导体器件，所述碳化硅半导体器件具有设置有半导体元件的元件部以及围绕所述元件部的终端部，所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅膜，所述碳化硅膜具有第一主表面以及与所述第一主表面相反的第二主表面，所述第二主表面具有在所述元件部中的元件形成表面以及在所述终端部中的终端表面，所述碳化硅膜具有第一范围，所述第一范围构成所述第一主表面以及与所述第一主表面相反的中间表面，所述碳化硅膜具有第二范围，所述第二范围设置在所述中间表面上并且构成所述元件形成表面，所述第一范围包括第一击穿电压保持层，所述第一击穿电压保持层具有第一导电类型，所述第一范围包括保护环区，所述保护环区部分地设置在所述终端部中的所述中间表面处、在所述中间表面处围绕所述元件部、并且具有第二导电类型，所述第二范围具有第二击穿电压保持层，所述第二击穿电压保持层具有所述第一导电类型，所述第二范围具有在所述终端部中仅具有所述第二击穿电压保持层的结构以及仅布置在所述元件部和所述终端部当中的所述元件部中的结构中的一种；第一主电极，所述第一主电极面对所述第一主表面；以及第二主电极，所述第二主电极面对所述第二主表面的所述元件形成表面。