[发明专利]单片集成光电元件的方法在审
| 申请号： | 201380062862.0 | 申请日： | 2013-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN105103292A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 贾斯汀·佩恩 | 申请（专利权）人： | 贾斯汀·佩恩 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;G01V8/10 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种单片集成传感器，所述单片集成传感器的形式为光探测器、可见光发射器以及相关的控制电路单片集成在单个的硅微芯片上。探测器结构包括扩到所述衬底中和沉积到硅衬底的表面上的p-i-n光电二极管结构。发射器结构包括沉积在所述硅衬底的表面上的III-V族化合物半导体的异质外延层。控制电路采用传统的CMOS大批量制造技术制造。传感器组件被设置成在传统的CMOS晶片厂进行加工。传感器组件被进一步设计成晶片级封装。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 光电 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种传感器阵列，所述传感器阵列包括集成在单个硅衬底上的多个光电元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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