[发明专利]用于穿硅通孔的平台结构有效
| 申请号： | 201380060834.5 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104838495B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | C·M·佩尔托;R·A·布雷恩;K·J·李;G·S·莱瑟曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了与使用互连层的互连结构来形成用于穿硅通孔(TSV)的平台结构相关联的技术和构造。在一个实施例中，装置包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的所述第一表面上的器件层，所述器件层包括一个或多个晶体管器件；设置在所述器件层上的互连层，所述互连层包括多个互连结构；以及设置在所述第一表面与所述第二表面之间的一个或多个穿硅通孔，其中，所述多个互连结构包括与所述一个或多个TSV电耦合并且被配置为提供所述一个或多个TSV的一个或多个对应的平台结构的互连结构。还可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 穿硅通孔 平台 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)封装组件，所述组件包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的所述第一表面上的器件层，所述器件层包括一个或多个晶体管器件；设置在所述器件层上的互连层，所述互连层包括多个互连结构；以及设置在所述第一表面与所述第二表面之间的一个或多个穿硅通孔(TSV)，其中，所述多个互连结构包括：第一互连结构，其被配置为将电信号路由到所述一个或多个晶体管器件，以及第二互连结构，其与所述一个或多个穿硅通孔电耦合并且被配置为向所述一个或多个穿硅通孔提供一个或多个对应的平台结构，其中，所述第二互连结构包括：第一沟槽层(MT1)的设置在所述一个或多个穿硅通孔与所述第二互连结构中的至少一些的界面处的沟槽结构；以及第一通孔层(VA1)的设置在所述界面处的通孔结构，所述第一通孔层设置在所述第一沟槽层上。
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