[发明专利]二氧化硅质膜的形成方法以及通过该方法形成的二氧化硅质膜有效
| 申请号： | 201380060803.X | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104885204A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 林昌伸;长原达郎 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料（卢森堡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C01B33/12;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘淼 |
| 地址： | 卢*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
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| 摘要： | 通过如下的工序形成高纯度且蚀刻速率迟缓的二氧化硅质膜：(a)通过将聚硅氮烷、例如全氢聚硅氮烷的溶液涂布于基板然后在氧化气氛下进行固化(硬化)，或者通过将利用溶胶-凝胶法形成的二氧化硅溶液涂布于基板，从而在基板上形成二氧化硅质膜的工序；以及(b)将该二氧化硅质膜在包含烷基胺那样的碱解离常数(pKb)为4.5以下的含氮化合物或者F2、Br2、NF3那样的卤素原子的键能为60kcal/mol以下的含卤素化合物的非活性气体气氛下加热而退火的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 质膜 形成 方法 以及 通过 | ||
【主权项】：
一种二氧化硅质膜的形成方法，其由如下的工序构成：(a)通过将聚硅氮烷溶液涂布于基板然后在氧化气氛下固化(硬化)，或者通过将利用溶胶‑凝胶法形成的二氧化硅溶液涂布于基板，从而在基板上形成二氧化硅质膜的工序；以及(b)将该二氧化硅质膜在包含碱解离常数(pKb)为4.5以下的含氮化合物或者卤素原子的键能为60kcal/mol以下的含卤素化合物的非活性气体气氛下加热、退火的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
