[发明专利]用于形成硅外延层的方法在审
| 申请号： | 201380058621.9 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104781455A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 马利克·本曼索尔;让-保罗·加朗代;丹尼尔·莫尔万 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B25/10;C30B25/18;C30B25/20;C30B28/14;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/513;H01L21/205;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;石磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于通过气相外延生长在至少一个硅衬底(1)的表面上形成晶粒尺寸大于或者等于100μm的晶体硅层(2)的方法，所述方法至少包括如下步骤：(i)提供颗粒尺寸大于或者等于100μm且包括含量按重量计在0ppb和1ppm之间的金属杂质的硅衬底(1)；以及(ii)通过感应等离子体焰炬(4)分解至少一种硅前体，在被加热到1000℃和1300℃之间的温度的所述衬底的表面上形成所述硅层，在步骤(ii)中，所述衬底的用于支撑硅层(2)的表面(11)被定位成接近等离子体焰炬的出口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种用于通过气相外延生长在至少一个硅衬底(1)的表面处形成具有大于或者等于100μm的晶粒尺寸的晶体硅层(2)的方法，所述方法至少包括如下步骤：(i)提供颗粒尺寸大于或者等于100μm且包括含量范围按重量计在10ppb到1ppm的金属杂质的硅衬底(1)；以及(ii)通过感应等离子体焰炬(4)分解至少一种硅前体，在处于1000℃和1300℃之间的温度下的所述硅衬底的表面处形成所述硅层(2)，在步骤(ii)中，所述硅衬底的用于支撑所述硅层(2)的表面(11)被定位成接近所述等离子体焰炬的出口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能与替代能源委员会，未经原子能与替代能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380058621.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改良式清洗设备及方法
- 下一篇：用于在基体上制造金属-硼碳化物层的方法
