[发明专利]纳米角锥体大小的光电子结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201380058042.4 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104769732A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 欧嘉·克莱里奥克;纳坦·加德纳;茱莉亚诺·波尔蒂略·韦斯科维 | 申请（专利权）人： | GLO公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明的方面提供方法及装置。在一个实施例中，本发明涉及适用于例如二极管、LED及晶体管等众多半导体装置的氮化物半导体的生长。根据本发明的方法，利用基于CVD的选择性区域生长技术来使氮化物半导体纳米角锥体生长。使所述纳米角锥体直接生长或作为芯-壳体结构生长。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 锥体 大小 光电子 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括支撑件及排列于所述支撑件上的多个纳米角锥体的半导体发光装置，所述多个所述纳米角锥体中的每一者包括：第一导电类型半导体芯或芯籽晶；第一导电类型半导体壳体，其封围所述第一导电类型半导体的所述芯或所述芯籽晶；及第二导电类型半导体的第一层，其在所述第一导电类型半导体的所述壳体上方，其中所述第一导电类型半导体壳体及第二导电类型半导体的所述第一层经配置以形成在操作中提供用于光产生的作用区的pn或pin结。
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