[发明专利]蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201380054473.3 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104737277A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 上村哲也;朴起永;室祐継;稲叶正 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻液，其对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 使用 方法 半导体 元件 制造 | ||
【主权项】：
一种蚀刻液，其对具有包含氮化钛(TiN)的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去所述第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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