[发明专利]刻蚀材料有效
| 申请号： | 201380054154.2 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104737278B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 中子伟夫;神代恭;纳堂高明;稻田麻希;黑田杏子 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种刻蚀材料，其含有选自结构中含有硼和与该硼结合的卤素的路易斯酸、所述路易斯酸的盐以及产生所述路易斯酸的化合物之中的至少一种硼化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 路易斯酸 刻蚀材料 硼化合物 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀温度为100℃～250℃的无机薄膜刻蚀材料，其含有选自结构中含有硼和与该硼结合的卤素的路易斯酸、所述路易斯酸的盐以及产生所述路易斯酸的化合物之中的至少一种硼化合物，其中，所述硼化合物是选自四氟硼酸三苯基碳鎓、四氟硼酸卓鎓、四氟硼酸二正丁基铵、四氟硼酸三甲基氧鎓、四氟硼酸三乙基氧鎓、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓四氟硼酸盐、甲基三氟硼酸钾、4-碘苯基三氟硼酸钾、(4-甲基-1-哌嗪基)甲基三氟硼酸钾、三环戊基膦四氟硼酸盐、三氟化硼单乙胺络合物、吡啶-3-三氟硼酸钾和四氟硼酸硝鎓之中的1种以上，所述硼化合物按照在作为刻蚀温度的100℃～250℃下使刻蚀材料成为液体的方式来进行调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
