[发明专利]高性能的阴离子交换膜及其制造方法有效
申请号: | 201380052132.2 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN104703697B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | J·R·林 | 申请(专利权)人: | 懿华水处理技术有限责任公司 |
主分类号: | B01J49/20 | 分类号: | B01J49/20;C02F1/469 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 孙琳琳;郑霞 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 阴离子交换膜可以包括聚合物微孔基材和基材上的交联的阴离子交换聚合物层。阴离子交换膜可以具有小于约1.5欧姆‑cm2的电阻率和至少约95%的表观选择渗透性。可以通过独特的两步工艺生产阴离子交换膜。 | ||
搜索关键词: | 阴离子交换膜 基材 阴离子交换聚合物 聚合物微孔 选择渗透性 工艺生产 电阻率 交联 制造 | ||
【主权项】:
1.一种制造阴离子交换膜的方法,包括:将叔胺单体与季铵化试剂混合,并允许季铵化反应进行到完全以产生包含官能季铵单体的溶液,并且随后,在季铵化完成之后,将交联剂添加到所述溶液中,其中所述叔胺单体选自由以下组成的组:1‑乙烯基咪唑、2‑甲基‑1‑乙烯基咪唑、9‑乙烯基咔唑、N‑乙基‑2‑乙烯基咔唑、2‑乙烯基吡啶、3‑乙烯基吡啶、4‑乙烯基吡啶、以及其混合物;将所述交联剂和溶剂与所述包含官能季铵单体的溶液混合以形成单体溶液;和将所述单体溶液浇铸在聚合物微孔基材上以形成所述阴离子交换膜。
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