[发明专利]具有背衬金属的基材的切割方法有效
申请号: | 201380051012.0 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN104737285B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 彼得·法尔沃;林内尔·马丁内斯;大卫·佩斯-沃拉德;里什·高尔丁;鲁塞尔·韦斯特曼 | 申请(专利权)人: | 等离子瑟姆有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00;B28D5/00;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 刘慧,杨青 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于切割具有背衬金属的基材的方法,所述方法包括下列步骤。所述基材提供有第一表面和第二表面,其中所述第二表面与所述第一表面相对。在所述基材的第一表面上提供掩模层,并在所述基材的第二表面上提供薄膜层。经过所述掩模层切割所述基材的第一表面,以暴露出所述基材的第二表面上的所述薄膜层。在通过所述切割步骤已暴露出所述薄膜层后,将来自于流体射流的流体施加到所述基材的第二表面上的所述薄膜层。 | ||
搜索关键词: | 具有 金属 基材 切割 方法 | ||
【主权项】:
一种用于切割具有背衬金属的基材的方法,所述方法包括:提供具有第一表面和第二表面的基材,所述第二表面与所述第一表面相对,在所述基材的所述第一表面上提供掩模层,在所述基材的所述第二表面上提供金属层;经过所述掩模层切割所述基材的所述第一表面,以暴露出所述基材的所述第二表面上的所述金属层;以及在通过所述切割步骤已暴露出所述金属层后,通过将来自于流体射流的流体施加到所述基材的所述第二表面上的所述金属层除去一部分所述金属层,其中在将所述流体施加到所述金属层期间,所述流体射流是脉冲的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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