[发明专利]根据切克劳斯基法提拉半导体单晶和适用于其的石英玻璃坩埚

摘要

在已知的根据切克劳斯基法提拉半导体单晶的方法中，在石英玻璃坩埚中制造半导体熔体并从中提拉半导体单晶。所述石英玻璃坩埚的内壁和所述半导体熔体的自由熔体表面在此在坩埚内壁上径向环绕的接触区彼此接触并分别与熔体气氛接触，由此引发从所述接触区开始的熔体初振动。以在此基础上提供一种方法，其以减少的熔体振动和特别是以简单而短暂的拉晶过程为特征，本发明提出，引发频率彼此不同的初振动。

主权项

根据切克劳斯基法提拉半导体单晶的方法，其中在石英玻璃坩埚中制造半导体熔体并从中提拉半导体单晶，其中所述石英玻璃坩埚具有内壁且所述半导体熔体具有自由熔体表面，它们径向延伸至环绕延伸在坩埚内壁上的接触区，其中所述自由熔体表面与所述接触区彼此接触并各自与熔体气氛接触，由此从所述接触区开始熔体的初振动，其特征在于，引发频率彼此不同的初振动，其中最大和最小振动频率之间的差异为最大振动的至少5％。