[发明专利]电阻式存储器装置

摘要

本发明涉及可包含电阻式存储器单元的电子设备、系统及方法，所述电阻式存储器单元具有作为两个电极之间的可操作可变电阻区域的结构，及安置于电介质与所述两个电极中的一者之间的区域中的金属障壁。所述金属障壁可具有结构及材料组合物以在所述电阻式存储器单元的编程或擦除操作期间提供高于第一阈值的氧扩散率，且在所述电阻式存储器单元的保留状态期间提供低于第二阈值的氧扩散率。本发明揭示额外的设备、系统及方法。

主权项

一种设备，其包括：电阻式存储器单元，其包含：两个电极；电介质，其被结构化为所述两个电极之间的可操作可变电阻区域，所述电介质安置于所述两个电极的一者上；及多个结构对，其安置于所述电介质和所述两个电极的另一者之间，每一结构对具有金属障壁和安置于所述金属障壁上的氧化物，且所述多个结构对的所述金属障壁邻近于所述电介质，每一金属障壁具有金属电导率性质，所述结构对彼此堆叠在所述电介质和所述两个电极的所述另一者之间，每一金属障壁具有结构及材料组合物，所述结构及材料组合物在所述电阻式存储器单元的编程或擦除操作期间提供高于氧扩散率的第一阈值的氧扩散率，且在所述电阻式存储器单元的保留状态期间提供低于氧扩散率的第二阈值的氧扩散率，所述第一阈值大于所述第二阈值，编程及擦除操作包括施加于所述两个电极之间的电场，所述电场高于在保留状态期间施加于所述两个电极之间的电场。