[发明专利]光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置有效
申请号: | 201380050249.7 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN104662100B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 望月纪久夫 | 申请(专利权)人: | 迈图高新材料日本合同公司 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08K3/36;C08L83/05;H01L23/29;H01L23/31;H01L33/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 卢曼,李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供将得到的有机硅固化物作为光半导体元件的密封材料时,可兼顾充分的光透射性和机械强度的光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置。光半导体元件密封用有机硅组合物以及利用该组合物的固化物来密封光半导体元件而成的光半导体装置,所述光半导体元件密封用有机硅组合物的特征在于,分别含有合计100质量份的在分子中具有2个以上烯基的直链状聚有机硅氧烷和在分子中具有1个以上烯基的树脂状结构的聚有机硅氧烷;在分子中具有2个以上氢甲硅烷基(Si‑H基)的聚有机氢硅氧烷,其量是使得相对于烯基1摩尔、氢原子为1~3摩尔的量;5~20质量份的二氧化硅粉末;以及催化量的氢化硅烷化反应催化剂,所述光半导体元件密封用有机硅组合物的折射率(25℃、D线)为1.41~1.44。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 密封 有机硅 组合 以及 装置 | ||
【主权项】:
光半导体元件密封用有机硅组合物,其特征在于,分别含有: (A)下述通式(1)表示的聚有机硅氧烷、和(B)在1分子中具有至少1个烯基、含有x个R13SiO1/2单元、y个R12SiO单元、和z个SiO2单元,将x、y、z的合计换算为1时的x、y、z分别为0.3≤x≤0.5、0<y≤0.1、0.4≤z<0.7的树脂状结构的聚有机硅氧烷,其中,各硅氧烷单元中,R1各自独立地表示烯基或任选被卤素取代的烷基,R12SiO单元中的R1的至少1个为烯基,该(A)成分和(B)成分的含量以(A)成分和(B)成分的总量计为100质量份,并且相对于(A)成分和(B)成分的总量100质量份,使(B)成分为10~40质量份,(R13SiO1/2)(R22SiO)m(R12SiO)n(R13SiO1/2) …(1)其中,式(1)中,R1各自独立地表示烯基或任选被卤素取代的烷基,R2各自独立地表示芳基,R1的至少2个为烯基,0.01<m/(m+n)<0.10,(C)在1分子中具有至少2个键合于硅原子的氢原子的聚有机氢硅氧烷,该(C)成分的量是,使得相对于上述(A)成分和(B)成分所分别具有的烯基的总量1摩尔、键合于硅原子的氢原子为1~3摩尔的量,(D)相对于(A)成分和(B)成分的总量100质量份为5~20质量份的二氧化硅粉末,以及(E)催化量的氢化硅烷化反应催化剂,所述光半导体元件密封用有机硅组合物的折射率为1.41~1.44,该折射率是在25℃下采用D线测定的折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迈图高新材料日本合同公司,未经迈图高新材料日本合同公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380050249.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。