[发明专利]光半导体电极、光电化学电池以及能量系统有效
| 申请号： | 201380050204.X | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104662204A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 小泽宜裕;田村聪;宫田伸弘;藏渕孝浩;野村幸生;羽藤一仁 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04;C25B11/08;H01M8/00;H01M8/06;H01M8/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的光半导体电极(400)具备：导电体(410)；和被设置在导电体(410)上的光半导体层(第1半导体层)(420)。光半导体层(420)包含：光半导体(例如光半导体膜(421))、和含有铱元素的氧化物(例如氧化铱(422))。含有铱元素的氧化物的费米能级，在真空能级基准下，比所述光半导体的费米能级更为负，并且比-4.44eV更为负。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电极 光电 化学 电池 以及 能量 系统 | ||
【主权项】：
一种光半导体电极，具备：导电体；和第1半导体层，其被设置在所述导电体上，所述第1半导体层包含：光半导体、和含有铱元素的氧化物，含有所述铱元素的氧化物的费米能级，在真空能级基准下，比所述光半导体的费米能级更为负，并且比‑4.44eV更为负。
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