[发明专利]掺杂半导体衬底的方法

摘要

本发明涉及一种通过扩散过程掺杂半导体衬底的方法，其中，在第一涂覆阶段中，至少在一些区域中将至少一种掺杂物源沉积在半导体衬底的表面上，然后在驱进阶段中，至少一种掺杂物扩散到半导体衬底中，以及在第二涂覆阶段中，至少在一些区域中再次将至少一种掺杂物源沉积在半导体衬底上，且至少一种掺杂物源同时扩散到半导体衬底中。在所述方法中，可以独立于掺杂物的扩散深度来设置靠近表面的区域中的掺杂浓度。本发明还涉及采用以这种方式掺杂的半导体衬底。

主权项

一种通过扩散过程掺杂半导体衬底的方法，其中，a)在第一涂覆阶段中，至少在多个区域中将至少一种掺杂物源沉积在半导体衬底的表面上，b)在驱进阶段中，将至少一种掺杂物扩散到所述半导体衬底中，c)在第二涂覆阶段中，至少在多个区域中再次将所述至少一种掺杂物源沉积在所述半导体衬底上，且同时将至少一种掺杂物扩散到所述半导体衬底中，其特征在于，在所述第一涂覆阶段中通过所述掺杂物源的气流来调整掺杂物的扩散深度，并且在所述第二涂覆阶段中通过所述掺杂物源的气流来调整在所述半导体衬底的靠近所述表面的区域中的掺杂物浓度。