[发明专利]硅-碳-氮化物的选择性蚀刻

摘要

兹描述蚀刻图案化异质结构上曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料的方法，该方法包括由含氟前驱物和含氧前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在基板处理区域该等离子体流出物与含‑硅‑氮‑和‑碳材料的曝露区域反应。该等离子体流出物与该图案化异质结构反应，以选择性地从该曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料区域去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料，同时非常缓慢地去除选定的其他曝露材料。该含‑硅‑氮‑和‑碳材料的选择性部分是由位于远程等离子体和基板处理区域之间的离子抑制元件的存在所致。该离子抑制元件控制到达基板的离子性带电物种的数量。可以使用该方法来以比曝露的氧化硅或曝露的氮化硅更快的速率选择性地去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料。

主权项

1.一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻图案化基板的方法，其中所述图案化基板具有曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳区域以及曝露的氧化硅区域，所述方法包含：使含氟前驱物和含氧前驱物的每一者流入流体耦接至所述基板处理区域的远程等离子体区域，同时在所述远程等离子体区域中形成等离子体，以产生等离子体流出物，其中使所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的每一者流入所述远程等离子体区域包含将O:F原子流量比保持在高于或等于2:1并低于或等于10:1；以及藉由使所述等离子体流出物经由喷洒头中的通孔流入所述基板处理区域而蚀刻所述曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳区域，并且其中所述蚀刻操作的选择性大于或等于150:1，所述蚀刻操作的选择性定义为曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳区域：曝露的氧化硅区域的蚀刻速率比。