[发明专利]SiC单晶的制造装置以及制造方法有效
| 申请号： | 201380046179.8 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104662213B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 楠一彦;龟井一人;矢代将齐;冈田信宏;森口晃治;加渡干尚;大黑宽典;坂元秀光 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造装置，其用于溶液生长法，其包括：晶种轴，其具有能够安装SiC晶种的下端面，所述SiC晶种的下表面为晶体生长面，在安装所述SiC晶种时，所述SiC晶种的整个上表面与所述下端面接触；坩埚，其用于收纳Si－C溶液；搅拌构件，其被浸渍于所述Si－C溶液，并且配置在所述晶种轴的下方；驱动源，其使所述坩埚和所述搅拌构件中的任一者相对于另一者相对旋转，所述搅拌构件具有相对于所述晶种轴的中心轴线平行或者倾斜地延伸的叶片，在所述搅拌构件被浸渍于所述Si－C溶液且所述SiC晶种与所述Si－C溶液接触了时，所述搅拌构件隔着所述Si－C溶液与所述SiC晶种相对地配置。
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