[发明专利]有源栅极之上的栅极触点结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201380043706.X | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104584222B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | A·J·派特;T·加尼;M·博尔;C·韦布;H·戈麦斯;A·卡佩拉尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了布置在栅极的有源部分上的栅极触点结构以及形成这种栅极触点结构的方法。例如，一种半导体结构包括具有有源区和隔离区的衬底。栅极结构具有布置在所述衬底的有源区上的部分和布置在所述衬底的隔离区上的部分。源极区和漏极区布置在所述衬底的有源区中、并且位于所述栅极结构的布置在有源区上的部分的任一侧上。栅极触点结构布置在所述栅极结构的布置在所述衬底的有源区上的部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 栅极 之上 触点 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括有源区和隔离区；多个栅极结构，所述多个栅极结构中的每一个栅极结构都具有布置在所述衬底的所述有源区之上的部分以及布置在所述衬底的所述隔离区之上的部分，其中所述多个栅极结构中的每一个栅极结构包括在所述栅极结构的顶部表面上的栅极帽盖电介质层，所述栅极帽盖电介质层具有最高的表面，其中所述栅极帽盖电介质层包括第一材料；多个源极区或多个漏极区，所述多个源极区或所述多个漏极区被布置在所述衬底的所述有源区中，并且位于所述栅极结构的布置在所述有源区之上的部分之间；多个沟槽触点，所述多个沟槽触点中的每一个沟槽触点被布置在所述多个源极区或所述多个漏极区的相应一个上，其中所述多个沟槽触点中的每一个包括所述沟槽触点的顶部表面上的沟槽帽盖电介质层，所述沟槽帽盖电介质层具有与所述多个栅极结构中的每一个栅极结构的所述栅极帽盖电介质层的所述最高的表面共面的最高表面，其中所述沟槽帽盖电介质层包括不同于所述第一材料的第二材料；栅极触点过孔，所述栅极触点过孔被布置在所述多个栅极结构中的一个栅极结构上，并且位于所述多个栅极结构中的所述一个栅极结构的布置在所述衬底的所述有源区之上的部分上；以及沟槽触点过孔，所述沟槽触点过孔被布置在所述多个沟槽触点中的一个沟槽触点上。
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