[发明专利]包括碳化硅的陶瓷本体及其形成方法有效
| 申请号： | 201380041137.5 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104520254B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | N·J·尼努斯;D·R·蒂尔尼 | 申请（专利权）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了形成陶瓷本体的方法，包括形成至少由如下物质制成的混合物具有第一平均粒度(PS1)的包括碳的第一粉末材料(PM1)、包括碳且不同于所述第一粉末材料的第二粉末材料(PM2)，所述第二粉末材料具有比所述第一平均粒度(PS1)小的第二平均粒度(PS2)以及比所述第一粉末材料的铝含量(AC1)大的铝含量(AC2)，所述方法进一步包括由所述混合物形成生坯、以及烧结所述生坯和形成陶瓷本体，所述陶瓷本体具有拥有不大于所述第一平均粒度(PS1)的约8倍的平均晶粒尺寸的第一类型的晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 碳化硅 陶瓷 本体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成陶瓷本体的方法，所述方法包括：形成包括如下物质的混合物：具有第一平均粒度PS1的包括碳的第一粉末材料PM1；和包括碳且不同于所述第一粉末材料的第二粉末材料PM2，其中所述第二粉末材料具有第二平均粒度PS2，且其中所述第二粉末材料具有比所述第一粉末材料的铝含量AC1大的铝含量AC2；由所述混合物形成生坯；和烧结所述生坯和形成陶瓷本体，所述陶瓷本体包括：具有不大于所述第一平均粒度PS1的8倍的平均晶粒尺寸的第一类型的晶粒；和具有第二平均晶粒尺寸和细长的结构的第二类型的晶粒，其中所述陶瓷本体包括至少3.0g/cm3的密度和至少100ppm至不大于800ppm的铝含量。
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