[发明专利]具有功能化栅电极和基电极的纳米柱场效应和结型晶体管在审
| 申请号： | 201380039616.3 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN105408740A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 阿迪蒂亚·拉贾戈帕;杰峰·常;奥利佛·普拉特布格;斯蒂芬·彼得里;阿克塞尔·谢勒;查尔斯·L·奇尔哈特 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院;赛诺菲美国服务公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N33/50;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于分子感测的系统和方法。描述的分子传感器基于场效应晶体管或双极结型晶体管。这些晶体管具有带有与基电极或栅电极接触的功能化层的纳米柱。该功能化层能够结合分子，这会在传感器中引发电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 功能 电极 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种用于感测分子的结构，所述结构包括：半导体衬底；源极区域，其位于所述半导体衬底中，所述源极区域包括第一掺杂半导体区域；漏极区域，其位于所述半导体衬底中，所述漏极区域包括第二掺杂半导体区域；源电极，其与所述源极区域接触；漏电极，其与所述漏极区域接触；绝缘层，其至少部分地覆盖所述源电极，和/或所述漏电极，和/或所述源极区域，和/或所述漏极区域，和/或所述半导体衬底；氧化层，其覆盖在所述源极区域和所述漏极区域之间的衬底区域；纳米柱栅极区域，其接触所述氧化层；以及功能化层，其位于所述纳米柱的顶部上。
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