[发明专利]防护膜组件有效
| 申请号： | 201380037728.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104471479B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 近藤正浩;津本高政 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64;C08F214/22;C09J127/12;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种防护膜组件，其于防护膜框架的内侧面具有粘着层，该粘着层具有可使尘埃等悬浮物良好地粘固的保持性能、及对短波长光的优异耐光性。本发明的防护膜组件包括：防护膜框架、铺设于上述防护膜框架上的防护膜、及设置于上述防护膜框架的内侧的粘着层，上述粘着层包含相对于上述粘着层为60质量％以上的共聚物，所述共聚物具有下述式(1)所表示的结构单元及下述式(2)所表示的结构单元。‑CH2CF2‑ …(1)‑CF2CF(CF3)‑ …(2) | ||
| 搜索关键词： | 防护 组件 | ||
【主权项】：
1.一种防护膜组件，包括：防护膜框架、铺设于所述防护膜框架的一方的开口部的防护膜、以及设置于所述防护膜框架的内侧面的粘着层，所述粘着层包含相对于所述粘着层的总重量为80质量％以上的共聚物，所述共聚物具有下述式(1)所表示的结构单元及下述式(2)所表示的结构单元：‑CH2CF2‑…(1)‑CF2CF(CF3)‑…(2)，所述粘着层的厚度为1μm～1mm，相对于上述共聚物总质量，所述共聚物中的所述式(2)所表示的结构单元的含有比例为15质量％以上50质量％以下。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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