[发明专利]用于沉积贫氧金属膜的方法

摘要

在此描述的是沉积贫氧金属膜的方法，该方法是透过基板上具有预定贫氧度的至少一个前体的化学反应所完成。示范性方法包括：于金属氧化物沉积循环期间，将该基板暴露至包含金属的金属反应物气体与包含氧的氧反应物气体，以在基板上形成含有金属氧化物的层；于贫氧沉积循环期间，将该基板暴露至包含金属的金属反应物气体与排除氧的额外反应物气体，以于第二循环期间在该基板上形成金属氮化物与混合金属的至少一者的第二层，该第二层相对于含有该金属氧化物的层为贫氧；以及重复该金属氧化物沉积循环与该贫氧沉积循环，以形成具有预定贫氧度的贫氧膜。

主权项

一种沉积包含至少两层的贫氧金属复合膜的方法，所述方法是透过在基板上的具预定贫氧度(oxygen deficiency)的至少一个前体的化学反应而完成，所述方法包含以下步骤：在金属氧化物沉积循环期间，将所述基板暴露至包含金属的金属反应物气体以及包含氧的氧反应物气体，而形成含有金属氧化物的层；在贫氧沉积循环期间，将所述基板暴露至包含金属反应物气体的反应物气体以及视情况任选的排除氧的反应物气体，而形成贫氧层，所述贫氧层选自下述材料的一或更多者：金属、金属氮化物、金属碳氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属氧碳氮化物、金属硅化物、氮化的金属硅化物(MSiN)、金属硅酸盐、氮化的金属硅酸盐(MSiON)以及前述材料的组合，所述贫氧层相对于所述含金属氧化物的层为贫氧；以及重复所述金属氧化物沉积循环以及所述贫氧沉积循环，以形成具有所述预定贫氧度的所述贫氧膜；其中所述沉积的方法选自化学气相沉积与原子层沉积或前述沉积的组合。