[发明专利]使用高电场制造纳米孔有效
| 申请号： | 201380036177.0 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104662209B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | W·H·郭;V·塔巴德-科萨;K·A·Z·布里格斯 | 申请（专利权）人： | 渥太华大学 |
| 主分类号： | C25F3/14 | 分类号： | C25F3/14;B23B41/14;B23H9/14;B23K9/013;B82Y30/00;C25F7/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 杨勇,郑建晖 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于在膜中制造纳米孔的方法。该方法包括施加穿过膜的电势，其中所述电势的值被选择以感生引起穿过所述膜的泄漏电流的电场；在所述电势被施加时，监测穿过所述膜的电流流动；检测穿过所述膜的所述泄漏电流中的突然增加；以及响应于检测到所述泄漏电流中的突然增加来移除穿过所述膜的电势。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电场 制造 纳米 | ||
【主权项】：
一种用于在膜中制造单个纳米孔的方法，包括：选择在膜中感生出电场的电势，其中所述电场具有的值大于0.1伏每纳米；施加所述电势穿过由电介质材料组成的膜，其中所述膜被布置在含有离子的流体中；在所述电势被施加穿过所述膜时，监测穿过所述膜的泄漏电流；在所述电势被施加穿过所述膜时，检测穿过所述膜的泄漏电流中的突然增加；以及响应于检测到所述泄漏电流中的突然增加，移除穿过所述膜的所述电势来停止孔制造。
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