[发明专利]半导体装置及其制造方法及冲洗液有效
| 申请号： | 201380036029.9 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104412376B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 小野升子;茅场靖刚;田中博文;高村一夫;铃木常司 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 金鲜英,李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 冲洗 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其包括：密封组合物赋予工序，对具备设置有凹部的层间绝缘层以及包含铜的配线的半导体基板的至少所述凹部的底面及侧面赋予半导体用密封组合物，至少于所述凹部的底面及侧面形成半导体用密封层，所述包含铜的配线的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分上露出，所述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及去除工序，于温度200℃以上425℃以下的条件下对所述半导体基板的形成有所述半导体用密封层之侧的面进行热处理，将形成于所述配线的露出面上的半导体用密封层的至少一部分去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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