[发明专利]用于转印层的工艺有效
申请号: | 201380033314.5 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104584203B | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | M·布鲁尔 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 该转印工艺包括以下步骤(a)提供施主衬底(2)和支撑衬底(3);(b)在所述施主衬底(2)中形成脆性区(4);(c)在所述施主衬底(2)的第一部分(1)和所述支撑衬底(3)之间形成所谓的结合层(5);以及(d)将所述施主衬底(2)组装至所述支撑衬底(3),并且,值得注意的是,该转印工艺包括以下步骤(e)在给定功率密度下,将所述脆性区(4)的部分(40)连续地暴露给电磁辐射(6)达暴露时间,所述暴露时间根据所述结合层的厚度(E)来选择,使得所述支撑衬底(3)从所述施主衬底(2)的第一部分(1)热去耦,所述暴露时间根据所述功率密度来选择,以激活使所述脆性区(4)变弱的动力。 | ||
搜索关键词: | 用于 转印层 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于转印层(1)的转印工艺,所述转印工艺包括以下步骤:(a)提供由分别具有第一热膨胀系数和第二热膨胀系数的材料制成的施主衬底(2)和支撑衬底(3);(b)在所述施主衬底(2)中形成脆性区(4),以在所述施主衬底(2)中在所述脆性区(4)的两侧界定第一部分(1)和第二部分(20),所述第一部分(1)旨在形成将被转印至所述支撑衬底的所述层(1);(c)在所述施主衬底(2)的所述第一部分(1)和所述支撑衬底(3)之间形成所谓的结合层(5),所述结合层(5)具有预设厚度;以及(d)将所述施主衬底(2)组装到所述支撑衬底(3),所述转印工艺的特征在于,所述转印工艺包括以下步骤:(e)在给定功率密度下,将所述脆性区(4)的部分(40)连续地暴露给电磁辐射(6)达暴露时间,所述电磁辐射(6)位于选择的光谱区,使得在所选择的光谱区中,所述支撑衬底(3)、所述结合层(5)和所述施主衬底(2)分别是透明、透明和吸收的,所述暴露时间根据所述结合层(5)的所述厚度(E)来选择,使得在所述暴露时间期间,所述支撑衬底(3)的温度保持低于阈值(T0),在高于该阈值时,缺陷易于出现在包括所述支撑衬底(3)、所述结合层(5)和所述施主衬底(2)的结构中,所述暴露时间根据所述功率密度来选择,以激活使所述脆性区(4)变弱的动力,其中,所述支撑衬底(3)、所述结合层(5)和所述施主衬底(2)的暴露段足够小,使得所述支撑衬底(3)和所述施主衬底(2)的总段只经历极小的温度升高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司,未经索泰克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380033314.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造