[发明专利]三维存储器阵列的多级接触及其制造方法有效
| 申请号： | 201380033310.7 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN104396004B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李耀升;Z.陈;S.富卡塔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11582;H01L27/11565;H01L27/11519;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11;H01L27/11524;H01L27/11575;H01L21/336;H01L29/792;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造多级接触的方法。该方法包括提供工艺过程多级装置，该多级装置包括至少一个装置区域和至少一个接触区域。该接触区域包括构造为台阶图案的多个导电层。该方法还包括在该多个导电层上方形成共形的蚀刻终止层(122)，在该蚀刻终止层(122)的上方形成第一电绝缘层(124)，在该第一电绝缘层的上方形成共形的牺牲层(126)和在该牺牲层上方形成第二电绝缘层(128)。该方法还包括蚀刻多个接触开口(130A‑E)，穿过在该接触区域中的该蚀刻终止层、该第一电绝缘层、该牺牲层和该第二电绝缘层，到达该多个导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 多级 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造多级接触的方法，包括：提供工艺过程中多级装置，包括至少一个装置区域和至少一个接触区域，该接触区域包括构造为台阶图案的多个导电层；在该多个导电层的上方形成共形的蚀刻终止层；在该共形的蚀刻终止层的上方形成共形的第一电绝缘层；在该第一电绝缘层的上方形成共形的牺牲层，其中该第一电绝缘层从上覆所述多个导电层内的最底层的侧壁的区域连续延伸到上覆所述多个导电层内的最顶层的侧壁的区域，且在形成共形的牺牲层的步骤上覆所述共形的蚀刻终止层的最顶表面；在该牺牲层的上方形成第二电绝缘层；以及蚀刻多个接触开口，穿过在该接触区域中的该蚀刻终止层、该第一电绝缘层、该牺牲层和该第二电绝缘层，到达该多个导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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