[发明专利]发光器件、发光器件包装和光设备有效

专利信息
申请号: 201380030103.6 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN104350614B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 丁焕熙 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/46;H01L33/48;G02F1/13357
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 陈海涛,穆德骏
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据一个实施方案的发光器件,包含发光结构,所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极设置在所述发光结构下并电连接到所述第二导电半导体层;反射层,所述反射层设置在所述第二导电半导体层内并与所述第一电极和所述有源层隔开;和第二电极,所述第二电极电连接到所述第一导电半导体层。
搜索关键词: 发光 器件 包装 设备
【主权项】:
一种发光器件,所述发光器件包含:发光结构,所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极布置在所述发光结构下并电连接到所述第二导电半导体层;反射层,所述反射层布置在所述第二导电半导体层内并与所述第一电极和所述有源层隔开;第二电极,所述第二电极电连接到所述第一导电半导体层;和设置在所述反射层之上或之下的扩散阻挡层,其中所述第一电极具有与所述第二导电半导体层的底面接触的第一区域和从所述第一区域向外延伸的第二区域,其中所述第一导电半导体层包含N型半导体层,所述第二导电半导体层包含P型半导体层,其中所述反射层在所述有源层和所述第一电极之间,以及其中所述第一电极的一部分设置在欧姆接触层之下。
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