[发明专利]紧密式安瓿热管理系统有效
| 申请号： | 201380029684.1 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104335326B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 戴维·K·卡尔森;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;肯里克·乔伊;玛塞勒·E·约瑟夫森;丹尼斯·德马斯;埃姆雷·库瓦利奇;穆罕默德·图格鲁利·萨姆特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此提供用于热管理在基板处理中使用的前驱物的设备。在一些实施方式中，一种用于热管理在基板处理中使用的前驱物的设备可包括主体，所述主体具有开口，所述开口依一定尺寸设计以接纳储存容器，所述储存容器内设置有液体或固体前驱物，所述主体由导热材料制造；一或多个热电装置，所述一或多个热电装置邻近所述开口而耦接至所述主体；以及散热体，所述散热体耦接至所述一或多个热电装置。 | ||
| 搜索关键词： | 紧密 安瓿 管理 系统 | ||
【主权项】：
一种用于热管理在基板处理中使用的前驱物的设备，包括：主体，所述主体具有开口，所述开口依一定尺寸设计以接纳储存容器，所述储存容器内设置有液体或固体前驱物，所述主体由导热材料制造，其中所述主体包含两个能分离的部分，并且其中所述开口至少部分地形成在所述两个能分离的部分的每一部分中；一或多个热电装置，所述一或多个热电装置邻近所述开口而耦接至所述主体；以及一或多个散热体，所述一或多个散热体耦接至所述一或多个热电装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
