[发明专利]生长均匀、大规模的多层石墨烯膜的方法无效
| 申请号： | 201380029213.0 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104334495A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 罗健平;张凯;安东尼奥埃利奥·卡斯特罗尼托 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙) 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 新加坡新加*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 生长多层石墨烯膜(10)的方法，包括在CVD反应室(2)中，在碳化催化剂(GC)的表面(SGC)上使弱氧化蒸气(OV)和气态碳源(CS)流动。碳原子(C)沉积在碳化催化剂表面上以在冷却后形成单层石墨烯(12)片。该方法产生大体上均匀的石墨烯层的堆叠，以形成多层石墨烯膜。与由现有技术方法形成的石墨烯膜相比，多层石墨烯膜是大体上均匀的并具有相对大的规模。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 均匀 大规模 多层 石墨 方法 | ||
【主权项】：
用于生长石墨烯膜的方法，包括：在化学气相沉积(CVD)反应室中处理具有表面的碳化催化剂，所述反应室具有在1毫托至760托范围内的压力和在200℃至1,200℃范围内的温度；使具有碳原子的气态碳源和弱氧化蒸气在所述碳化催化剂的所述表面上流动，由此使来自所述碳源的所述碳原子在所述碳化催化剂的所述表面上沉积在晶化碳原子排列中；以及冷却所述碳化催化剂和所述晶化碳原子排列，以在所述碳化催化剂的所述表面上形成多层石墨烯膜。
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