[发明专利]用于制造用于光电子半导体芯片的有源区的方法和光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201380028965.5 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104396031B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·赫特功;托马斯·伦哈特;马库斯·恩希费尔德;简-菲利普·阿尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在至少一个实施方式中，方法设计成用于制造用于光电子半导体芯片的有源区并且包括下述步骤生长基于Alx4Iny4Ga1‑x4‑y4N的第四阻挡层(24)，其中0≤x4≤0.40并且平均地0<y4≤0.4，其中In含量沿着生长方向(z)增大；在第四阻挡层(24)上生长量子阱层(20)，其中量子阱层(20)基于InyGa1‑yN，其中0.08≤y≤0.35；将基于Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的第一阻挡层(21)生长到量子阱层(20)上，其中0≤x1≤0.40并且平均地0<y1≤0.4，其中In含量沿着生长方向(z)减小；将基于GaN的第二阻挡层(22)生长到第一阻挡层(21)上，并且将基于GaN的第三阻挡层(23)生长到第二阻挡层(22)上，其中第三阻挡层(23)在添加H2气体的条件下生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 有源 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造用于光电子半导体芯片(1)的有源区(2)的方法，具有下述步骤：‑生长基于Alx4Iny4Ga1‑x4‑y4N的第四阻挡层(24)，其中0≤x4≤0.40并且平均地0<y4≤0.4，其中In含量沿着生长方向(z)增大；‑在所述第四阻挡层(24)上生长量子阱层(20)，其中所述量子阱层(20)基于InyGa1‑yN，其中0.08≤y≤0.35；‑将基于Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的第一阻挡层(21)生长到所述量子阱层(20)上，其中0≤x1≤0.40并且平均地0<y1≤0.4，其中In含量沿着所述生长方向(z)减小；‑将基于GaN的第二阻挡层(22)生长到所述第一阻挡层(21)上，并且‑将基于GaN的第三阻挡层(23)生长到所述第二阻挡层(22)上，其中仅仅所述第三阻挡层(23)在添加H2气体的条件下生长。
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