[发明专利]化合物半导体薄膜的制作方法及具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池有效
| 申请号： | 201380028495.2 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104350611A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张毅闻;山田明;和田隆博 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社;国立大学法人东京工业大学;学校法人龙谷大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的特征在于具备下述工序：将含有50质量％以上的为无定形状的化合物纳米粒子的化合物半导体薄膜制作用油墨进行涂布或印刷、形成化合物半导体涂膜的工序；对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的工序；以及对所述化合物半导体涂膜进行热处理、形成化合物半导体薄膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 薄膜 制作方法 具备 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体薄膜的制作方法，其具备下述工序：将含有50质量％以上的为无定形状的化合物纳米粒子的化合物半导体薄膜制作用油墨进行涂布或印刷、形成化合物半导体涂膜的工序；对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的工序；以及对所述化合物半导体涂膜进行热处理、形成化合物半导体薄膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
