[发明专利]基板处理装置、温度计测系统、处理装置的温度计测方法、输送装置以及记录介质有效
| 申请号: | 201380027921.0 | 申请日: | 2013-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN104364888B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
| 发明(设计)人: | 渡边明人;宫下直也;高岛克美;本田繁 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/22;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 为了提高处理炉内的温度均热区域的测定的作业性并且提高加热器的热平坦区长度的可靠性,提供一种基板处理装置,该基板处理装置具有处理室,其对以保持于保持件上的状态被装入的基板进行处理;温度计测器,其计测上述处理室内的温度;输送装置,其至少将上述基板输送到上述保持件;以及控制器,其在计测上述处理室内的温度之前,使上述输送装置移动到预先设定的位置,在计测上述处理室内温度时,在安装有上述温度计测器的状态下使上述输送装置升降,同时获取来自上述温度计测器的温度。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 温度计 系统 方法 输送 以及 记录 介质 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:处理室,其对以保持于保持件上的状态被装入的基板进行处理;温度计测器,其计测所述处理室内的温度;输送装置,其至少将所述基板输送到所述保持件;以及控制器,其在计测所述处理室内的温度之前,使所述输送装置移动至预先设定的位置,在计测所述处理室内的温度时,在安装有所述温度计测器的状态下使所述输送装置升降,同时获取来自所述温度计测器的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气,未经株式会社日立国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380027921.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:涂覆有钝化层的硅晶片
- 下一篇:用于检查光伏逆变器的分离点的方法和光伏逆变器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





