[发明专利]半导体晶片的洗净方法有效
| 申请号： | 201380025705.2 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104335330B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 阿部达夫;椛泽均 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张永康,李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种半导体晶片的洗净方法，其特征在于，在由平均铝浓度为1ppb以下的合成石英材料所构成的洗净槽内，装满包含氨和过氧化氢的洗净液，使前述半导体晶片浸渍于前述洗净液中，并以使由前述洗净液所导致的前述合成石英的表面蚀刻速度为0.3nm/分钟以下的方式，来洗净前述半导体晶片。由此，可提供一种洗净方法，该方法可将氨/双氧水洗净液中的铝浓度保持为低浓度，并提高半导体晶片的表面清洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 洗净 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片的洗净方法，其特征在于，在由平均铝浓度为1ppb以下的合成石英材料所构成的洗净槽内，装满包含氨和过氧化氢的洗净液，使前述半导体晶片浸渍于前述洗净液中，对前述洗净液的温度、或前述洗净液中所包含的前述氨与前述过氧化氢的混合比的组成进行控制，并使由前述洗净液所导致的前述合成石英的表面蚀刻速度为0.2nm/分钟以下，利用使前述洗净液循环并进行过滤及恒温加热的循环过滤装置，一边将前述洗净液中的氨及过氧化氢分别控制为一定的浓度，一边洗净前述半导体晶片，以使前述半导体晶片的表面铝浓度成为1×1010原子/cm2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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